技术组合

我们全方位代工服务的核心技术包括0.18µm CMOS和BCD、0.35µm数字和混合信号CMOS、超低噪声CMOS、高压CMOS和SiGe-BICMOS工艺。由于所有基础工艺都与主要的半导体制造商兼容，因此可以轻松找到替代来源。

0.18µm CMOS / BCD:

180nm CMOS专业模拟、混合信号工艺已转至艾迈斯欧司朗位于奥地利的200mm晶圆厂。C18专业工艺适用于各种应用中的传感器和传感器接口器件，如可穿戴设备、医疗保健、家居自动化、智能汽车和工业4.0。

• 0.18µm CMOS工艺细节(C18)
• 0.18µm BCD工艺细节(BCD18)

0.35µm数字和混合信号CMOS： 

艾迈斯欧司朗的0.35μm CMOS工艺系列完全兼容TSMC授权的0.35μm混合信号基础工艺。针对频率合成优化的高密度CMOS标准单元库、3层和4层路由可以确保实现最高门电路密度。外围单元库支持3.3V和5V电压，提供出色的驱动能力和ESD性能。可提供合格的数字宏块（SPRAM、DPRAM和漫射可编程ROM）。提供各种高性能模数和数模转换器，以便集成在同一ASIC中。

• 0.35µm CMOS工艺细节(C35)
• 0.35µm光学CMOS工艺细节(C35O)

针对CMOS工艺的其他工艺选项： 

CMOS-LVT；嵌入式内存：NVM、RAM、ROM、OTP

我们的高压工艺平台支持0.35µm工艺，针对复杂的混合信号电路（工作条件高达120V）进行优化。

除了标准的CMOS晶体管外，还有多种高压晶体管可供选择：高压NMOS、高压PMOS、高压DMOS晶体管、N结FETS、隔离式NPN双极型晶体管，以及隔离式低压NMOS晶体管。

高压和标准器件易于集成到同一芯片中。低功耗和快速的开关速度在汽车和工业市场中得到广泛应用。计划进一步应用于传感器的高精密模拟前端。

新工艺系列与我们经过验证的混合信号库结合之后，成为高压设计的理想解决方案。

0.35µm高压CMOS：

艾迈斯欧司朗的“H35”工艺针对复杂的混合信号电路（工作条件高达120V）进行了优化。

• 0.35µm高压CMOS(H35)