Technologie Portfolio

Unsere Full Service Foundry stellt eine Vielzahl produktionserprobter und branchenüblicher Prozessortechnologien bereit.

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Prozessor-Roadmap

ams OSRAM präsentiert sich als Branchenführer in der Fertigung von Analog- und Mixed-Signal-Wafer mit einer breiten Palette von Spezialprozessoren. Diese Spezialprozessoren und die verfügbaren optimierten Bauelemente unterstützen hocheffiziente Produktdesigns und hohe Leistung.

Mit unseren bewährten Analog-/Mixed-Signal-Prozessortechnologien, unserer hochpräzisen Prozessorcharakterisierung und -modellierung sowie den erweiterten Foundry-Services von ams OSRAM sind wir bestens gerüstet, um die individuellen Geschäftsanforderungen unserer Kunden zu erfüllen.

ams OSRAM full service foundry technologies

Basistechnologien

Die Kerntechnologien unserer Full-Service-Foundry umfassen 0,18 µm CMOS- und BCD-, 0,35 µm Digital- und Mixed-Signal-CMOS-, Ultra-Low-Noise-CMOS, Hochvolt-CMOS- und SiGE-BICMOS-Prozessoren. Da alle Basisprozessoren mit den großen Halbleiterherstellern kompatibel sind, kann mit minimalem Aufwand auf alternative Bezugsquellen zurückgegriffen werden.

0,18 µm CMOS / BCD:

Der 180 nm CMOS-Spezialprozessor für Analog- und Mixed-Signal-Anwendungen wird in der ams OSRAM-Fertigungsstätte für 200-mm-Wafer in Österreich produziert. Der C18-Spezialprozessor eignet sich für Sensoren und Sensorschnittstellenkomponenten in vielen Anwendungsbereichen wie Wearables, Gesundheit, Heimautomatisierung, Smart Cars und Industrie 4.0.

  • Details zum 0,18 µm CMOS-Prozessor (C18)
  • Details zum 0,18 µm BCD-Prozessor (BCD18)


0,35 µm Digital- und Mixed-Signal-CMOS:

Die ams OSRAM 0,35 μm CMOS-Prozessorfamilie ist vollständig kompatibel mit dem von TSMC lizenzierten 0,35 μm Mixed-Signal-Basisprozessor. Die für Synthese und Layer-3/Layer-4-Routing optimierte High-Density-CMOS-Standardzellenbibliothek garantiert höchste Gatterdichten. Peripheriezellenbibliotheken sind für 3,3 V und 5 V mit hoher Steuerfähigkeit und ausgezeichneter ESD-Leistung erhältlich. Qualifizierte digitale Makroblöcke (SPRAM, DPRAM und diffusionsprogrammierbares ROM) sind verfügbar. Eine Vielzahl leistungsstarker Analog-Digital- und Digital-Analog-Wandler kann zur Integration in denselben ASIC bereitgestellt werden.

  • Details zum 0,35 µm CMOS-Prozessor (C35)
  • Details zum 0,35 µm Opto-CMOS-Prozessor (C35O)


Weitere Prozessoroptionen für CMOS-Prozessoren: CMOS-LVT; Integrierte Speicher: NVM, RAM, ROM, OTP

ams OSRAM CMOS base technology TSMC
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Ultra-Low-Noise-CMOS

Der High Performance Analog Low Noise CMOS-Prozessor (‚A30‘) von ams OSRAM bietet überragende Rauschleistung und wird als 0,9-fach optische Schrumpfung aus der fortschrittlichen 0,35 µm High-Voltage-CMOS-Prozessorfamilie von ams OSRAM umgesetzt.

0,30 µm High Performance Analog Ultra-Low Noise CMOS-Prozessor:

Der High Performance Analog Ultra-Low Noise CMOS-Prozessor A30 basiert auf der fortschrittlichen 0,35 μm Prozessorfamilie von ams OSRAM. Der hochmoderne A30-Prozessor wird in der 200-mm-Fertigungsstätte von ams OSRAM hergestellt und gewährleistet eine sehr niedrige Fehlerdichte bei hohem Ertrag. Er bietet 3-4 Metallschichten und eine Reihe aktiver Bauelemente und ist für Ultra-Low-Noise- und analoge Hochleistungsanwendungen optimiert. Zudem umfasst der A30-Prozessor eine Reihe passiver Bauelemente wie hochohmige und hochpräzise Polyresistoren, PIP-Kondensatoren sowie einen verbesserten MOS-Varaktor mit noch besserer Analogleistung. Durch die optische Schrumpfung in der Maske lassen sich gegenüber dem 0,35 µm CMOS-Prozessor weitere 20 % Fläche einsparen.

- 0,30 µm High Performance Analog Ultra-Low Noise CMOS-Prozessor (A30)

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Hochspannungsprozessoren

Unsere Hochspannungsprozessor-Plattform für die Unterstützung von 0,35 µm-Prozessoren ist für komplexe Mixed-Signal-Schaltungen unter Betriebsbedingungen bis 120 V optimiert. Neben den Standard-CMOS-Transistoren sind verschiedene Hochspannungstransistoren erhältlich: HV-NMOS-, HV-PMOS- und HV-DMOS-Transistoren, N-Junction FETS, isolierte bipolare NPN-Transistoren sowie isolierte LV-NMOS-Transistoren. Hochspannungs- und Standardkomponenten können problemlos auf einem Chip kombiniert werden. Geringe Leistungsaufnahme und hohe Schaltgeschwindigkeit ermöglichen eine breite Palette von Anwendungen im Automobilbau und in der Industrie. Weitere Anwendungsmöglichkeiten bestehen im Bereich hochpräziser analoger Frontends für Sensoren und Umformer. In Verbindung mit unseren bewährten Mixed-Signal-Bibliotheken ist die neue Prozessorfamilie die ideale Lösung für Hochspannungsdesigns.

0,35 µm HV-CMOS:

Der ams OSRAM-Prozessor ‚H35‘ ist für komplexe Mixed-Signal-Schaltungen unter Betriebsbedingungen bis 120 V optimiert.

0,35 µm High-Voltage-CMOS (H35)

ams OSRAM full service foundry high-voltage CMOS
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SiGe-BICMOS-Prozessor

Der SiGe-BiCMOS-Prozessor von ams OSRAM wurde für die Unterstützung fortschrittlicher RF-Designs mit höchster Leistung und minimaler Komplexität entwickelt.

SiGe HBT-Hochgeschwindigkeitstransistoren mit niedrigsten Rauschwerten machen Designs für Betriebsfrequenzen bis zu 7 GHz möglich, die erheblich weniger Strom verbrauchen als vergleichbare Designs auf der Basis herkömmlicher CMOS-RF-Prozessoren. Diese fortschrittlichen Prozessoren bieten bipolare Hochgeschwindigkeitstransistoren mit hervorragender analoger Leistung (z. B. hohem Fmax und geringen Rauschwerten), komplementäre MOS-Transistoren, minimal parasitäre lineare Kondensatoren, lineare Widerstände und Spiralinduktoren. Die sorgfältige Charakterisierung und Modellierung aller aktiven, passiven und parasitären Bauelemente resultiert in Simulationsmodellen für verschiedene Schaltungssimulatoren und garantiert die optimale Nutzung dieser Prozessoren.

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Embedded-Flash-Technologie

Wettbewerbsfähige, leistungsstarke Prozessortechnologie

ams OSRAM bietet seinen Kunden eine sehr wettbewerbsfähige, leistungsstarke Prozessortechnologie. Die besonders zuverlässigen Embedded EEPROM/Flash-Blöcke zeichnen sich dank bewährter PMOS-basierter NVM-Technologie durch geringen Stromverbrauch und hohen Datenerhalt über einen größeren Temperaturbereich hinweg aus. Die Speicherblöcke sind als Add-on-Module für die 0,35 µm CMOS- und High-Voltage-CMOS-Prozessoren erhältlich und können ohne Prozessorwechsel auch als EEPROM-Blöcke oder Flash-Speicher konfiguriert werden.

Details zur Technologie

  • 0,35 µm Embedded EEPROM CMOS-Prozessor (C35EE)
  • 0,35 µm Embedded EEPROM High-Voltage CMOS-Prozessor (H35EE)

WICHTIGE EIGENSCHAFTEN EMBEDDED FLASH

Basierend auf dem 0,35 µm CMOS- und dem 0,35 µm High-Voltage-CMOS-Prozessor bietet die Embedded-Flash-Technologie folgende Eigenschaften:

  • Sehr hohe Zuverlässigkeit (Datenerhalt >20 Jahre bei 125 °C, Belastbarkeit 100.000 Schreib-/Lesezyklen)
  • Hohe Temperaturbeständigkeit bis 170 °C (geeignet für Automobilanwendungen)
  • Geringe Leistungsaufnahme
  • Vollständig anpassbare Flash- oder EEPROM-Blöcke
  • Wie statisches RAM ansprechbare EEPROM-Speicherblöcke
  • Dank vollständiger Modularität mit dem 0,35 µm CMOS-Basisprozessor C35 wiederverwendbare digitale Bibliothek und IP-Blöcke
  •  Optische Filter und photonische Komponenten