テクノロジーポートフォリオ

当社のフルサービスファウンドリは、生産実績のある、業界標準の多様なプロセス技術を提供しています。
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プロセスのロードマップ

ams OSRAMは多様な特殊プロセスを含むアナログと混合信号のウェハー製造で業界の最先端を走ることを実証しています。特殊プロセスに加え最適化済みのデバイスを豊富に用意し、高効率な製品設計と高パフォーマンスを達成します。

当社の実証済みアナログ混合信号プロセス技術は高精度なプロセスの特性づけとモデリングを伴います。ams OSRAMの高度ファウンドリサービスは、顧客独自の業務要件を満たせる最高のサービスとなっています。

ams OSRAM full service foundry technologies

基本技術

当社のフルサービスファウンドリの中核技術は0.18µm CMOSとBCD、0.35µmデジタルと混合信号CMOS、超低ノイズCMOS、高電圧CMOS、SiGe-BICMOSプロセスで構成されます。すべてのベースプロセスは主要な半導体メーカーと互換性があるため、代替品の調達も最小限の労力で対応できます。

0.18µm CMOS / BCD

180nm CMOS特殊アナログ、混合信号プロセスは、オーストリアにあるams OSRAMの200mmウェハーハブ施設へ移管されています。C18特殊プロセスは、ウェアラブル、ヘルスケア、ホームオートメーション、スマートカー、インダストリー4.0など、多様なアプリケーションでセンサとセンサインターフェースのデバイスに最適です。

  • 0.18µm CMOSプロセスの詳細(C18)

  • 0.18µm BCDプロセスの詳細(BCD18)
     

0.35µmデジタルと混合信号CMOS

ams OSRAMの0.35µm CMOSプロセスファミリーは、TSMCからライセンスを受けた0.35µm混合信号ベースプロセスに完全準拠しています。高密度のCMOS標準セルライブラリは3層と4層のルーティングと合成へ最適化されており、最高のゲート密度が保証されます。周辺セルのライブラリは3.3Vと5Vで利用でき、高駆動性能と優れたESDパフォーマンスを持ちます。認証済みデジタルマクロブロック(SPRAM、DPRAM、拡散プログラム対応ROM)を利用できます。様々な高性能のアナログ-デジタルとデジタル-アナログコンバーターを同じASICへ統合できます。

  • 0.35µm CMOSプロセスの詳細(C35)
  • 0.35µm 光学CMOSプロセスの詳細(C35O)
     

CMOSプロセスの追加処理オプション

CMOS-LVT、組込みメモリー:NVM、RAM、ROM、OTP

ams OSRAM CMOS base technology TSMC
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超低ノイズCMOS

ams OSRAMの高性能アナログ低ノイズCMOSプロセス(「A30」)は優れたノイズ性能を示し、ams OSRAMの高度な0.35µm高電圧CMOSプロセスファミリーで0.9倍に光学縮小されて提供されます。

0.30µm高性能アナログ超低ノイズCMOSプロセス
 

A30高性能アナログ超低ノイズCMOSプロセスは、ams OSRAMの高度な0.35µmプロセスファミリーに基づきます。最新のA30プロセルはams OSRAMの200mm製造施設で生産され、非常に低い不良密度と高い歩留まりを保証します。3~4つの金属層で構成され、超低ノイズアプリケーションと高パフォーマンスのアナログアプリケーションに最適化された一連のアクティブデバイスを提供します。A30プロセスは一連の高耐ポリ抵抗と高精度ポリ抵抗、PIPコンデンサ、アナログ性能を改善した改良型MOSバラクタも備えています。マスクショップで行われる光学縮小で、0.35µm CMOSプロセスよりも面積をさらに20%縮小できます。

  • 0.30µm高性能アナログ低ノイズCMOS(A30)
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高電圧プロセス

0.35µmをサポートする当社の高電圧プロセスは、最大120Vの動作条件まで、複雑な混合信号回路に最適化されています。

標準のCMOSトランジスタに加え、様々な高電圧トランジスタを使用できます:HV-NMOS、HV-PMOS、HV-DMOSトランジスタ、N-接合FETS、絶縁NPNバイポーラトランジスタ、絶縁LV-NMOSトランジスタです。

高電圧デバイスと標準デバイスを、簡単に同一デバイスで組み合わせられます。低消費電力と高速スイッチングのため、自動車と産業分野で多様なアプリケーションに使用できます。センサとトランスデューサー用の高精度のアナログフロントエンドは、その他のアプリケーションに適しています。

実証済み混合信号ライブラリと組み合わせることで、新しいプロセスファミリーは高電圧設計の理想的なソリューションとなります。

0.35µm HV-CMOS
 

ams OSRAMの「H35」プロセスは、最大120Vの動作条件まで、複雑な混合信号回路に最適化されています

  • 0.35µm高電圧CMOS (H35)
ams OSRAM full service foundry high-voltage CMOS
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SiGe BiCMOSプロセス

ams OSRAMのSiGe-BiCMOSプロセスは、最高のパフォーマンスと最も簡素化されたプロセスを持ち、高度なRF設計に対応するよう設計されています。

低ノイズを特徴とする高速のSiGe HBTトランジスタを使用すれば、最大7GHzの動作周波数の設計が可能となり、従来のCMOS RFプロセスに基づく同等の設計よりも消費電流を大幅に抑えられます。こうした高度なプロセスで、優れたアナログ性能を持つ高速のバイポーラトランジスタが可能となります。高Fmaxと低ノイズ(NF)、寄生容量が非常に低いリニアキャパシタ、リニア抵抗、スパイラルインダクタなどです。すべての能動デバイス、受動デバイス、寄生デバイスを入念に特性づけしてモデリングするため、様々な回路シミュレーターで利用できるシミュレーションモデルを生み出し、プロセスの最適な利用が保証されます。

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組込みフラッシュ技術

0.35µm組込みフラッシュ技術を利用し、ams OSRAMはSoC(システムオンチップ)ソリューションに向けた堅固な非揮発性メモリプロセスを提供します。これはRFID、スマートカード、センサインターフェース、マイクロコントローラーアプリケーション、トリミングアプリケーションなど、自動車、産業、コンシューマーアプリケーションに適応されます。

 

競争力のある高性能のプロセス技術

ams OSRAMは非常に競争力の高い、高性能なプロセス技術を顧客へ提供します。非常に安定性の高い組込みEEPROM/Flashブロックが、実績あるPMOSベースのNVMテクノロジーを使用し、広範囲の温度で低消費電力と高データ保持率の稼働を実現します。メモリブックは0.35µm CMOSと高電圧CMOSプロセスのアドオンプロセスとして利用でき、プロセスを変更せずにEEPROMブロックまたはフラッシュメモリとしても構成できます。

 

技術の詳細

  • 0.35µm組込みEEPROM CMOSプロセス(C35EE)
  • 0.35µm組込みEEPROM高電圧CMOSプロセス(H35EE)

組込みフラッシュの主な特徴

0.35µm CMOSプロセスと0.35µm高電圧CMOSプロセスに基づく組込みフラッシュ技術は、以下の特徴を備えます。

  • 超高耐久性 (125°Cで20年以上のデータ保持率、10万回の書き込み/読み取りサイクルの耐久性)
  • 最大170°Cの高温耐性(自動車アプリケーションに最適)
  • 低消費電力
  • 完全カスタマイズ可能なEEPROMブロック
  • 静的RAMの要領でアクセス可能なEEPROMメモリブロック
  • 0.35µm CMOSベースプロセスのC35と完全にモジュール化でき、デジタルライブラリとIPブロックを再利用可能