ams、アナログ ファウンドリカスタマ向け2017年マルチプロジェクト ウェハ開始スケジュールを発表

ams（日本法人：amsジャパン株式会社、東京都品川区、カントリーマネージャー 岩本桂一）は本日、迅速かつコスト効率の高いICプロトタイプサービス、マルチプロジェクト ウェハ（MPW）またはシャトルランの2017年のスケジュールを発表しました。様々なお客様による複数のIC設計を単一のウェハ上に展開するこのプロトタイプサービスは、シャトルを利用するすべてのお客様がウェハとマスクを共有することで、ファウンドリカスタマに大きなコストメリットをもたらします。

クラス最高を誇るamsのMPWサービスは、最近導入した180nm CMOSテクノロジー（以下「aC18」）など、180nmと0.35μm特殊プロセスのすべてをカバーします。aC18プロセスは、1.8Vと5.0VのNMOSおよびPMOSデバイス（基板ベース、フローティングタイプ、低漏れ電流、高スレッショルド電圧を選択可能）と、各種キャパシタを含む完全にキャラクタライズされた受動素子に対応します。また、最大8kVのHBM（人体帯電モデル）レベルのESD（静電気放電）保護セルだけでなく、最大152kGates/mm²までのゲート密度を有する面積を最適化した高密度で低消費電力のデジタルライブラリや、6層配線層までをサポートするアップデートされたデジタル・アナログIOライブラリを提供しています。amsのaC18プロセスは、幅広いアプリケーションにおけるセンサおよびセンサインターフェース デバイスに最適です。aC18テクノロジーを採用した2017年のMPWランはすべて、非常に低い欠陥密度と高い歩留まりが保証された、オーストリアにあるamsの最先端200mmウェハ工場で製造される予定です。

aC18 MPWランを4回提供するほか、1.8V、5V、20Vおよび50Vデバイスをサポートする180nm高耐圧CMOS（aH18）先端プロセスでも4回MPWランを行います。0.35μm特殊プロセスでは、2017年に計14回のMPWを行う予定です。車載用および産業用の高耐圧設計に最適な0.35μm高耐圧CMOSプロセスファミリは、20V、50Vおよび120Vデバイス、そして真の電圧拡張性を持つトランジスタをサポートします。EEPROM組み込みを特長とした先進の高耐圧CMOSプロセス並びに0.35μm SiGe-BiCMOSプロセスS35は、CMOSをベースにしたプロセスおよびamsのMPWサービスポートフォリオと完全な互換性を有しています。

2017年、amsはCMP, Europractice, Fraunhofer IIS および Mosisなどの世界中のビジネスパートナーとの連携により、全体でおよそ150のMPWを行います。

アジア太平洋地域のお客様も、ローカルMPWプログラムパートナーである株式会社トッパン・テクニカル・デザインセンター（TDC）および MEDs Technologiesを介して参加することが可能です。

MPWサービスを有効活用するために、amsのファウンドカスタマには完全なGDSIIデータを特定の期日にご 

提供いただくことになりますが、CMOSでは通常8週間、高耐圧CMOS、SiGe-BiCMOSおよびフラッシュ組み込みプロセスでは12週間という短いリードタイムで、未試験のパッケージ化されたサンプルまたはダイをお受け取りいただけます。

 すべてのプロセス技術は、Cadence、Mentor GraphicsまたはKeysight ADS設計環境に基づいたamsのベンチマークプロセスのデザインキット、hitkitによってサポートされています。hitkitでは、コンパレータ、オペアンプ、低電力A/DおよびD/Aコンバータなどの汎用アナログセル、周辺セルおよびシリコンにて完全に検証されたスタンダードセル、を提供しています。カスタムアナログおよびRFデバイス、AssuraおよびCalibre用の物理検証ルールセット、並びに精密にキャラクタライズされた回路シミュレーションモデルは、複雑で高性能なミックスドシグナルICの迅速な設計開始を可能にします。標準プロトタイプサービスに加えて、高度アナログIPブロック、メモリ（RAM/ROM）ジェネレーションサービス、およびセラミックまたはプラスティックのパッケージングサービスも提供しています。 

フルサービス・ファウンドリの総合的なサービスおよび技術ポートフォリオに関する詳しい情報は、こちらのサイトをご覧ください。Full Service Foundry.