テクノロジーポートフォリオ

当社のフルサービスファウンドリの中核技術は0.18µm CMOSとBCD、0.35µmデジタルと混合信号CMOS、超低ノイズCMOS、高電圧CMOS、SiGe-BICMOSプロセスで構成されます。すべてのベースプロセスは主要な半導体メーカーと互換性があるため、代替品の調達も最小限の労力で対応できます。

0.18µm CMOS / BCD

180nm CMOS特殊アナログ、混合信号プロセスは、オーストリアにあるams OSRAMの200mmウェハーハブ施設へ移管されています。C18特殊プロセスは、ウェアラブル、ヘルスケア、ホームオートメーション、スマートカー、インダストリー4.0など、多様なアプリケーションでセンサとセンサインターフェースのデバイスに最適です。

• 0.18µm CMOSプロセスの詳細(C18)

• 0.18µm BCDプロセスの詳細(BCD18)
   

0.35µmデジタルと混合信号CMOS

ams OSRAMの0.35µm CMOSプロセスファミリーは、TSMCからライセンスを受けた0.35µm混合信号ベースプロセスに完全準拠しています。高密度のCMOS標準セルライブラリは3層と4層のルーティングと合成へ最適化されており、最高のゲート密度が保証されます。周辺セルのライブラリは3.3Vと5Vで利用でき、高駆動性能と優れたESDパフォーマンスを持ちます。認証済みデジタルマクロブロック（SPRAM、DPRAM、拡散プログラム対応ROM）を利用できます。様々な高性能のアナログ-デジタルとデジタル-アナログコンバーターを同じASICへ統合できます。

• 0.35µm CMOSプロセスの詳細(C35)
• 0.35µm 光学CMOSプロセスの詳細(C35O)
   

CMOSプロセスの追加処理オプション

CMOS-LVT、組込みメモリー：NVM、RAM、ROM、OTP

0.35µmをサポートする当社の高電圧プロセスは、最大120Vの動作条件まで、複雑な混合信号回路に最適化されています。

標準のCMOSトランジスタに加え、様々な高電圧トランジスタを使用できます：HV-NMOS、HV-PMOS、HV-DMOSトランジスタ、N-接合FETS、絶縁NPNバイポーラトランジスタ、絶縁LV-NMOSトランジスタです。

高電圧デバイスと標準デバイスを、簡単に同一デバイスで組み合わせられます。低消費電力と高速スイッチングのため、自動車と産業分野で多様なアプリケーションに使用できます。センサとトランスデューサー用の高精度のアナログフロントエンドは、その他のアプリケーションに適しています。

実証済み混合信号ライブラリと組み合わせることで、新しいプロセスファミリーは高電圧設計の理想的なソリューションとなります。

0.35µm HV-CMOS
 

ams OSRAMの「H35」プロセスは、最大120Vの動作条件まで、複雑な混合信号回路に最適化されています

• 0.35µm高電圧CMOS (H35)