ams OSRAM erhält Genehmigung der EU-Kommission für eine Investitionsförderung bis zu 227 Millionen Euro für neue Halbleiterfertigung in Österreich

• Investitionen gestartet in neue Generationen innovativer Mikrochips von insgesamt 567 Mio. EUR bis zur Vollproduktion im Jahr 2030 für steigenden Bedarf in Anwendungen etwa in der Automobil- oder Medizintechnik, Industrie und Consumer-Endgeräten  
• Ausbau des Reinraums am Standort Premstätten mit einer Fläche von 1.800 Quadratmetern für die CMOS-Fertigung 

Premstätten, Österreich und München, Deutschland (24. Februar 2025) -- Die Europäische Kommission hat heute die Genehmigung für eine Förderung einer Halbleiterfertigungsanlage der ams OSRAM AG (SIX: AMS) im Rahmen des European Chips Acts erteilt. Die offizielle Förderzusage seitens des österreichischen Ministeriums für Wirtschaft und Arbeit, das für die Auszahlung der Förderung zuständig ist, wird nun in Kürze erwartet. ams OSRAM plant, mit Hilfe der von der EU-Kommission genehmigten Förderung von bis zu 227 Millionen Euro den Entwicklungs- sowie Produktionsstandort Premstätten nachhaltig zu stärken. Insgesamt will das Unternehmen dafür 567 Millionen Euro bis zur Vollproduktion im Jahr 2030 am Hauptsitz in der Steiermark investieren. 

„Wir freuen uns, dass die Europäische Kommission im Rahmen des European Chips Acts staatliche Beihilfen Österreichs zur Erweiterung unserer Halbleiterfertigung in Premstätten genehmigt hat“, sagt Aldo Kamper, CEO der ams-OSRAM AG. „Die Finanzierung ist Teil der wichtigen Investitionen von ams OSRAM in Österreich in neue Generationen innovativer Mikrochips für medizinische und automobile Anwendungen. Die erste Produktionsstätte dieser Art für optoelektronische Sensoren der nächsten Generation ist ein wichtiger Eckpfeiler unserer Wachstumsstrategie. Im Einklang mit den im European Chips Act festgelegten Zielen wird sie die Versorgungssicherheit und technologische Autonomie Europas im Bereich der Halbleitertechnologien stärken. Wir sind dankbar für die Unterstützung, die wir sowohl von der österreichischen Regierung als auch von der Europäischen Kommission erhalten haben.“

Die neue Fabrik am Produktionsstandort in Premstätten soll die Führungsrolle der österreichischen Halbleiterindustrie weiter ausbauen. In der Halbleiterfertigungsanlage werden künftig hoch-differenzierten optoelektronische Sensoren der nächsten Generation produziert, die für Anwendungen in der Medizintechnik sowie der Automobilindustrie qualifiziert sind. Darüber hinaus ist auch die Fertigung von Produkten für die Industrie oder Anwendung in Consumerprodukten vorgesehen. Sie umfasst eine Kombination herausragender Technologien (CMOS, Filter¹ und TSV²) und funktioniert nach einem Toolbox-Konzept. Je nach Produkt können die unterschiedlichen Fähigkeiten individuell nach Bedarf für energieeffiziente Produkte für die Bildgebung und Optoelektronik mit reduziertem Formfaktor, mehr Funktionen auf einem Bauteil und hervorragender elektrischer Leistung kombiniert werden. Der Bau des zusätzlichen Reinraums am Standort Premstätten mit einer Fläche von 1.800 Quadratmetern für die CMOS-Fertigung führt zudem zu einer Verdoppelung der Filterkapazitäten und Erhöhung der TSV-Kapazitäten um den Faktor vier. 

Angesichts der globalen Situation am Halbleitermarkt zeigt sich deutlich, wie wichtig Investitionen in innovative Schlüsseltechnologien für die Zukunft sind. Deshalb hat sich die Europäische Kommission das Ziel gesetzt, die Massenproduktion von Halbleitern in Europa zu fördern und den Weltmarktanteil bis 2030 auf 20 Prozent der Produktion zu steigern. Außerdem sollen neue Chip-Technologien der nächsten Generation ermöglicht werden. Dafür wurde der European Chips Act aufgelegt. Die Investition von ams OSRAM wird dazu beitragen, die europäische Souveränität bei der Halbleiterproduktion und bei der Digitalisierung zu stärken. Außerdem wird sie einen wichtigen Beitrag zur „Green Transition“ leisten.  

1)Filter selektieren einfallende Strahlung. So nutzen sie etwa das Phänomen der Interferenz – also der Überlagerung von Wellenlängen des Lichts –, um bestimmte Spektralbereiche der elektromagnetischen Strahlung bevorzugt durchzulassen oder zu reflektieren. Das ermöglicht etwa eine Farberkennung, die die des menschlichen Auges übertrifft.
2)TSV – Through Silicon Vias – sind vertikale elektrische Verbindungen durch einen Chip. Sie sind wesentliche Bausteine für fortschrittliche Gehäusetechnologien für leistungsstarke Geräte mit geringer Stellfläche, die in vielen verschiedenen Marktsegmenten wie Verbraucher-, Automobil- und Medizintechnik usw. benötigt werden. Im Vergleich zu herkömmlichen Gehäusekonzepten sind Geräte mit TSVs in der Regel 30-70 Prozent kleiner. Eine solche beträchtliche Verringerung der Größe ist notwendig, um die Implementierung von Sensoren in Internet of Things-Anwendungen zu ermöglichen.