Details
Eigenschaften
- Patented dual-diode architecture
- 8M:1 dynamic range
- UV rejection package
- Proximity offset adjustment
- Proximity saturation indicator bit
Vorteile
- Enables operation in IR light environments
- Enables operation in 60K lux sunlight and accurate sensing behind spectrally distorting materials
- Improves lux accuracy across varying light sources
- Compensates for internal system offset or IR LED crosstalk
- Prevents false proximity detection in bright light
Parameter
Function
ambient light sensing
proximity detection
Supply voltage
3.0
V
min.
2.4
V
max.
3.6
V
Interface
input
I²C slave (400kHz)
output
I²C slave (400kHz)
Operating ambient temperature
min.
-30
°C
max.
70
°C
Emitter quantity
external
Integrated diffuser
No
Package
FN
Package dimension
l
2.0
mm
w
2.0
mm
h
0.65
mm
Input/Output Voltage
1.8 V
Anwendungsfelder
Downloads
Datenblätter
Datasheet
Anwendungshinweise
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